CVD-GaSe三角形单晶 尺寸可定制
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|
| Q-0049848 | 100mg |
1
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询价 |
| Q-0049848 | 250mg |
1
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询价 |
| Q-0049848 | 500mg |
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询价 |
| Q-0049848 | 1g |
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询价 |
| Q-0049848 | 5g |
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询价 |
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1521565887@qq.comCVD-GaSe样品光学显微镜照片：
AFM：
Raman:
PL:
Product Description：
Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilities in 2019. Bulk GaSe is a 2.0 eV direct semiconductor with exciting second harmonic, optical, and photovoltaics applications. It crystallizes in hexagonal structure. CVD GaSe samples measure nearly 1x1cm2 in size. The sample does not reach full continuity instead one can find many isolated GaSe triangles that measure 1L to 100s of layer in thickness. By default it is grown onto SiO2/Si or (100) GaAs substrates.
The characteristics of CVD GaSe
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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二硫化钼（MoS2）是一种典型的层状过渡金属二硫属化物（TMDC），其单层结构由一个钼原子夹在两个硫原子之间构成S–Mo–S三明治式结构。层与层之间通过范德华力结合，易于剥离形成单层或少层二维结构。单层MoS₂具有直接带隙（约1.8 eV），而体相MoS2为间接带隙（约1.2 eV），这一带隙转变使其在电子与光电子领域具有独特优势。
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二硫化钨（WS₂）是另一种重要的过渡金属二硫化物（TMDCs），其晶体结构与MoS₂类似，属于六方晶系，单层结构为S–W–S三明治式。单层WS₂具有约2.0 eV的直接带隙，光吸收性能优于MoS₂，并具有更强的光致发光能力。因其优异的光电性能与较强的抗环境氧化能力，WS₂被广泛研究用于光电器件、催化、电池及气体传感器等领域。
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CVD-GaSe三角形晶体
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CVD-WS2多层薄膜 1cm*1cm
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